在高壓下測驗(yàn)電纜有助于確認(rèn)是否存在濕氣、助焊劑或或許現(xiàn)已滲透到絕緣體或連接器后殼破損處的污染物，并保證電線之間的絕緣體能夠接受高于正常作業(yè)電壓的暫時(shí)電壓偏移，而不會(huì)分化。高壓測驗(yàn)的成果一般顯現(xiàn)電線之間的絕緣電阻在數(shù)百兆歐或更高。要求 5 吉?dú)W絕緣電阻的測驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)并不罕見。

許多高可靠性電纜包括環(huán)繞一切導(dǎo)體的織造屏蔽層。屏蔽層防止外部電攪擾耦合到內(nèi)部導(dǎo)體上的信號(hào)，并阻撓或許由內(nèi)部導(dǎo)體上的正常信號(hào)產(chǎn)生的電噪聲輻射到環(huán)境中。但是，屏蔽電纜使高壓測驗(yàn)復(fù)雜化，由于屏蔽相關(guān)于內(nèi)部導(dǎo)體的電容大大添加。由于與電線比較，屏蔽層的表面積大得多，因而屏蔽層和導(dǎo)體之間的電容成份額添加。電容會(huì)跟著電纜長度的添加而進(jìn)一步添加。

圖1：帶屏蔽的 5 芯電纜的橫截面視圖

跟著電容的添加，帶電屏蔽層存儲(chǔ)的能量也會(huì)添加到或許對操作員形成損害的水平，而且假如產(chǎn)生絕緣擊穿，或許會(huì)因電弧加熱而損壞電纜的絕緣層。請注意，存儲(chǔ)在電容器中的能量直接隨電容和電壓的平方而添加：E = ½ CV 2。

許多測驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)要求屏蔽層作為附加導(dǎo)體參加高壓測驗(yàn)。下面的句子來自一個(gè)典型的標(biāo)準(zhǔn)：在屏蔽層和導(dǎo)體之間施加 500 Vdc的測驗(yàn)電位時(shí)，組件應(yīng)表現(xiàn)出不小于500 MΩ 的絕緣電阻。

主動(dòng)高壓測驗(yàn)設(shè)備將向一根導(dǎo)體施加直流電壓，而一切其他導(dǎo)體堅(jiān)持零伏。一般，關(guān)于每根電線，電壓會(huì)逐步升高，堅(jiān)持“駐留時(shí)刻”，并在對該電線的測驗(yàn)完結(jié)后逐步下降。對電纜中的每個(gè)導(dǎo)體重復(fù)此進(jìn)程，例如，五芯電纜，上升-暫停-下降循環(huán)將重復(fù)五次，每次都在接連的電線上。經(jīng)過這個(gè)進(jìn)程，一根電線的絕緣實(shí)際上被測驗(yàn)了兩次，一次是當(dāng)電線自身接納到高電壓（+ 到 - 電線絕緣層的極性）時(shí)，另一次是當(dāng)同一根電線堅(jiān)持零伏而另一根電線稍后接納電壓時(shí)測驗(yàn)（– 到榜首根電線上的 + 極性）。

當(dāng)在測驗(yàn)中包括屏蔽層時(shí)，它僅僅電纜中的另一根“電線”，并遵從相同的進(jìn)程。在這種情況下，當(dāng)一切其他電線都為零伏時(shí)向屏蔽層施加電壓時(shí)，屏蔽層會(huì)包容更多的電荷比在屏蔽層為零伏的任何一根電線上施加電壓時(shí)。跟著屏蔽層上電荷的添加，屏蔽層中存儲(chǔ)的能量比電線中存儲(chǔ)的能量多得多，而且經(jīng)過絕緣擊穿或人體觸摸引起的無意放電將導(dǎo)致相當(dāng)大的電流活動(dòng)。反過來，這或許會(huì)熔化絕緣層中的針孔，導(dǎo)致電纜損壞和無法運(yùn)用，或許更糟的是，假如放電是由人體觸摸引起的，則會(huì)對操作員形成危險(xiǎn)的電擊危險(xiǎn)。在到達(dá)測驗(yàn)電壓之前，即便是在 upramp 上對屏蔽充電的行為也或許超越測驗(yàn)儀的跳閘電流（表明擊穿的預(yù)設(shè)電流約束）。

電線絕緣中運(yùn)用的典型聚合物塑料可防止電流在任何方向上與電場矢量相同好地活動(dòng)。那么將看到，在恣意兩根導(dǎo)線之間，不管向?qū)Ь€ A 施加高電壓，一起將導(dǎo)線 B 堅(jiān)持在零伏，仍是相反，絕緣都以相同的漏電阻起作用。由于屏蔽層被視為導(dǎo)體，一般會(huì)在兩個(gè)方向上進(jìn)行測驗(yàn)，因而能夠經(jīng)過不向屏蔽層施加高壓來防止針孔絕緣損壞和觸電的危險(xiǎn)添加，一起依然向帶屏蔽層的每根電線施加高壓在測驗(yàn)期間堅(jiān)持在零伏。這樣做絕不會(huì)下降測驗(yàn)的有效性。

參閱前面給出的測驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，在導(dǎo)體和屏蔽層之間施加 500 Vdc 測驗(yàn)絕緣，就像在屏蔽層和導(dǎo)體之間施加它相同。因而，經(jīng)過僅在導(dǎo)體和屏蔽層之間進(jìn)行測驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)者消除了與向屏蔽層施加電壓相關(guān)的危險(xiǎn)。

在CAMI Research 制作的CableEye ® 測驗(yàn)儀中，任何導(dǎo)體都能夠在測驗(yàn)期間經(jīng)過簡略地在“HiPot Enable”列中表明來按捺高壓。在此屏幕截圖中，實(shí)驗(yàn)者展現(xiàn)了怎么按捺施加到屏蔽層的高壓：

即便不向屏蔽層施加電壓，屏蔽電纜在高壓測驗(yàn)時(shí)仍或許會(huì)出現(xiàn)問題，由于跟著電纜長度的添加，導(dǎo)體自身會(huì)存儲(chǔ)越來越多的電荷。一般，在這種情況下，上升期間的充電電流或許挨近或超越正常跳閘電流。經(jīng)過下降斜坡率來對此進(jìn)行補(bǔ)償，以便瞬時(shí)充電電流永久不會(huì)到達(dá)跳閘電流。這顯現(xiàn)了它是怎么運(yùn)用CableEye測驗(yàn)儀完結(jié)的。在此屏幕截圖中，將升壓從 5000 V/s 下降到 1200 V/s：

圖2：操控升溫速率

一些電纜有多組屏蔽線組合成一個(gè)束，例如屏蔽雙絞線，或織形成一根電纜的同軸導(dǎo)體束。當(dāng)內(nèi)部屏蔽組合在一起并施加高壓時(shí)，電容問題變得愈加嚴(yán)峻。此外，陳述的走漏是總和 并聯(lián)屏蔽母線和它們屏蔽的電線之間的一切走漏。這個(gè)總和很或許會(huì)超越答應(yīng)的走漏，并導(dǎo)致計(jì)算出的絕緣電阻太低，然后導(dǎo)致測驗(yàn)失利，尤其是在有很多屏蔽組合在一起的情況下。均勻走漏當(dāng)然是分組中走漏的總和除以分組中的導(dǎo)體數(shù)量。屏蔽層包括的電線越多，走漏（正常）越大，而且該組的總絕緣電阻越低。

由于上述原因，只要在高壓下測驗(yàn)其他電線時(shí)屏蔽層堅(jiān)持在零伏，就不需要向屏蔽層導(dǎo)體施加電壓來精確測驗(yàn)絕緣電阻。當(dāng)一切屏蔽層的高壓都被按捺時(shí)，電纜不會(huì)因不必要的漏電疊加而產(chǎn)生毛病。